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p; 报道援引消息人士透露,这项备受瞩目的行2D NAND 与NOR Flash芯片量产计划将落脚于联电日本12英寸晶圆厂USJC。该厂前身为富士通三重市12英寸晶圆厂,长期具备逻辑与存储双重制造经验,且深耕车载与工业应用领域多年,被业界视为承接低密度存储芯片代工的绝佳基地。当前,USJC 的成熟制程极为适合切入45/40纳米
均包含本声明。
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发布时间:10:12:24